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DDB6U75N16YR

更新时间： 2024-11-05 12:50:07

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DDB6U75N16YR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-24
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	69 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X24	元件数量：	1
端子数量：	24	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	670 ns	标称接通时间 (ton)：	175 ns
Base Number Matches：	1

DDB6U75N16YR 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

DDB6U75N16YR

Diode-Gleichrichter / diode-rectifier

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Rückw. Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

IŒç¢»¢

Iç¢»¢

IŒ»¢

1600

Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.

T† = 80°C

forward current RMS maximum per diode

Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom

T† = 80°C

maximum RMS current at Rectifier output

Stoßstrom Grenzwert

surge forward current

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C

605

470

Grenzlastintegral

I²t - value

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C

1850

1100

A²s

I²t

Charakteristische Werte / characteristic values

Durchlassspannung

TÝÎ = 150°C, IŒ = 65 A

forward voltage

min. typ. max.

1,10

VŒ

VÅ¥

rÅ

Schleusenspannung

TÝÎ = 150°C

0,83

3,90

1,00

threshold voltage

Ersatzwiderstand

TÝÎ = 150°C

mÂ

slope resistance

Sperrstrom

TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V

reverse current

Iç

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Diode

per diode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,80 0,90 K/W

0,45 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Diode / per diode

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: Daniel Kreuzer

approved by: Ralf Keggenhoff

date of publication: 2005-7-11

revision: 2.1

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