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DDB6U25N16VR

更新时间: 2024-11-20 14:48:55
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英飞凌 - INFINEON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 241K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

DDB6U25N16VR 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-9针数:9
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X9元件数量:1
端子数量:9最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):620 ns
标称接通时间 (ton):69 nsBase Number Matches:1

DDB6U25N16VR 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB6U25N16VR  
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier  
Vorläufige Daten / preliminary data  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒç¢»¢  
I碻¢  
IŒ»¢  
1600  
30  
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.  
T† = 80°C  
forward current RMS maximum per diode  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
T† = 80°C  
30  
maximum RMS current at Rectifier output  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
330  
260  
A
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
545  
340  
A²s  
A²s  
I²t  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Durchlassspannung  
TÝÎ = 150°C, IŒ = 30 A  
forward voltage  
min. typ. max.  
1,00  
VŒ  
VÅ¥  
rÅ  
V
V
Schleusenspannung  
TÝÎ = 150°C  
0,76  
7,60  
1,00  
threshold voltage  
Ersatzwiderstand  
TÝÎ = 150°C  
m  
mA  
slope resistance  
Sperrstrom  
TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V  
reverse current  
Iç  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,40 1,55 K/W  
0,60 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2004-8-27  
revision: 2.1  
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