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DDB6U205N16

更新时间： 2024-11-06 21:20:59

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英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
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Bridge Rectifier Diode, 208A, 1600V V(RRM),

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DDB6U205N16 技术参数

生命周期：	Active	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.47 V	最大非重复峰值正向电流：	1600 A
元件数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	208 A	最大重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	Base Number Matches：	1

DDB6U205N16 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 205 N 16 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_d

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

1600

1700

120

Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

T_C= 100°C

T_C= 99°C

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

T_A= 35°C, KM 14 (V_L= 45l/s)

T_A= 35°C, KM 33 (V_L= 90l/s)

Ausgangsstrom

output current

205

208

113

190

208

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I_FSM

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

1600

1375

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

12800

9450

A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 200A

v_F

Durchlaßspannung

forward voltage

max. 1,47

0,75

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

forward slope resistance

2,2

mΩ

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

i_R

Sperrstrom

max.

reverse current

V_ISOL

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

3,0

3,6

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

R_thJC

pro Modul / per module, Θ = 120°rect

pro Element / per chip, Θ = 120°rect

pro Modul / per module, DC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,098

max. 0,590

max. 0,078

max. 0,470

°C/W

pro Element / per chip, DC

R_thCK

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

pro Modul / per module

pro Element / per chip

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

max. 0,033

max. 0,200

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

150

- 40...+150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

BIP PPE 4 rev.2

25. Okt 05

A 09/05

Seite/page 1(6)

12 3 4 5 6 7

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