Datasheet > DDB6U145N14L

DDB6U145N14L

更新时间： 2024-11-24 19:48:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	91K
描述
Rectifier Diode,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DDB6U145N14L 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.43 V	最大非重复峰值正向电流：	1200 A
元件数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	145 A	最大重复峰值反向电压：	1400 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	Base Number Matches：	1

DDB6U145N14L 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 145 N 12...18 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_d

Periodische Spitzensperrspannung

1200, 1400

1600, 1800

repetitive peak reverse voltage

T_vj= + 25°C...T

Stoßspitzensperrspannung

1300, 1500

1700, 1900

vj max

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

100

T_C= 100°C

Ausgangsstrom

145

173

T_C= 84°C

output current

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

T_A= 35°C, KM 14 (V = 45l/s)

153

173

T_A= 35°C, KM 33 (V = 90l/s)

T_vj= 25°C, t = 10ms

I_FSM

Stoßstrom-Grenzwert

1200

1000

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

surge forward current

T_vj= 25°C, t = 10ms

Grenzlastintegral

I²t

7200

5000

A²s

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 150A

v_F

Durchlaßspannung

forward voltage

max. 1,43

0,75

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

3,1

mΩ

forward slope resistance

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

i_R

Sperrstrom

max.

reverse current

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

3,0

3,6

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

pro Modul / per module, Θ = 120°rect

pro Element / per chip, Θ = 120°rect

pro Modul / per module, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max. 0,148

max. 0,890

max. 0,167

max. 0,700

°C/W

thermal resistance, junction to case

pro Element / per chip, DC

pro Modul / per module

pro Element / per chip

R_thCK

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Übergangs-Wärmewiderstand

max. 0,033

max. 0,200

°C/W

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

150

- 40...+150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

MOD-E1; R. Jörke

09. Feb 99

A /99

Seite/page 1(6)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与DDB6U145N14L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DDB6U145N16L	INFINEON	获取价格	eupec? IsoPACK? - 1600V 二极管桥模块，实现更紧凑的转换器设计。
DDB6U145N16LHOSA1	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 173A, 1600V V(RRM), Silicon, ISOPACK-6
DDB6U145N18L	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
DDB6U180N16RR_B11	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
DDB6U180N16RR_B37	INFINEON	获取价格	eupec™EconoBRIDGE™ - 采用EconoPACK™2外壳的1600V 二极
DDB6U180N16RRB11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-26
DDB6U180N16RRP_B37	INFINEON	获取价格	eupec?EconoBRIDGE? - 采用EconoPACK?2 外壳的1600V 二
DDB6U205N16	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 208A, 1600V V(RRM),
DDB6U205N16L	INFINEON	获取价格	Technische Information / Technical Information
DDB6U205N16LHOSA1	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode,

与DDB6U145N14L相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DDB6U145N14L

DDB6U145N14L 技术参数

DDB6U145N14L 数据手册

与DDB6U145N14L相关器件

与DDB6U145N14L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DDB6U145N14L

DDB6U145N14L 技术参数

DDB6U145N14L 数据手册

与DDB6U145N14L相关器件

与DDB6U145N14L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？