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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.11 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT2907ATRPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CZT2955 | KEXIN |
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2.0W Surface Mount Complementary PNP Silicon Power Transistor |
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| CZT2955 | CENTRAL |
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2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
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| CZT2955_10 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| CZT2955BK | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT2955BKLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT2955BKPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CZT2955LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT2955PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CZT2955PNP | CENTRAL |
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2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
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