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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C1046BL-12VC
CY7C1046BL-12VC PDF预览

CY7C1046BL-12VC

更新时间： 2024-09-13 03:05:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
1M x 4 Static RAM

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CY7C1046BL-12VC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0长度：20.955 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：32
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.7592 mm最大待机电流：0.0002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.17 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1046BL-12VC 数据手册

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046B  
CY7C1046B  
1M x 4 Static RAM  
sion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active  
LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to  
the device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and  
Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the four I/O pins (I/O0  
through I/O3) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A19).  
Features  
• High speed  
— tAA = 12 ns  
• Low active power  
— 935 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power (L version)  
— 2.75 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The four input/output pins (I/O0 through I/O3) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1046B is available in a standard 400-mil-wide  
32-pin SOJ package with center power and ground (revolu-  
tionary) pinout.  
The CY7C1046B is a high-performance CMOS static RAM or-  
ganized as 1,048,576 words by 4 bits. Easy memory expan-  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
A0  
A1  
32  
31  
30  
29  
28  
1
2
3
4
5
A19  
A18  
A17  
A16  
A15  
A2  
A3  
A4  
CE  
I/O0  
VCC  
27  
26  
25  
6
7
8
9
10  
11  
OE  
I/O3  
GND  
VCC  
I/O2  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
INPUT BUFFER  
A
0
24  
23  
GND  
I/O1  
WE  
A
1
A
2
22  
21  
20  
19  
18  
17  
I/O  
0
A
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
3
4
12  
13  
14  
15  
16  
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
5
6
1
2
3
1M x 4  
A
ARRAY  
A
7
A
8
A
9
A
10  
1046B–2  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
1046B–1  
OE  
Selection Guide  
7C1046B-12  
7C1046B-15  
7C1046B-20  
Maximum Access Time (ns)  
12  
170  
8
15  
150  
8
20  
130  
8
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l  
L version  
0.5  
0.5  
0.5  
Shaded areas contain advance information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05144 Rev. **  
Revised September 6, 2001  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1046BL-15VC CYPRESS

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 		1M x 4 Static RAM
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CY7C1046BN CYPRESS

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CY7C1046BN-15VCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
CY7C1046BV33 CYPRESS

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