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CY7C1046BV33L-15VC

更新时间： 2024-09-13 09:43:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
8页 139K
描述
1M x 4 Static RAM

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CY7C1046BV33L-15VC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
长度：20.955 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.7592 mm
最大待机电流：0.0002 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C1046BV33L-15VC 数据手册

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046BV33  
PRELIMINARY  
CY7C1046BV33  
1M x 4 Static RAM  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an  
active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writ-  
ing to the device is accomplished by taking Chip Enable (CE)  
and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the four I/O pins  
(I/O0 through I/O3) is then written into the location specified on  
the address pins (A0 through A19).  
Features  
• High speed  
— tAA = 10 ns  
• Low active power for 10 ns speed  
— 540 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power (L version)  
— 1.8 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The four input/output pins (I/O0 through I/O3) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1046BV33 is available in a standard 400-mil-wide  
32-pin SOJ package with center power and ground (revolution-  
ary) pinout.  
The CY7C1046BV33 is a high-performance CMOS static  
RAM organized as 1,048,576 words by 4 bits. Easy memory  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
A
32  
31  
30  
29  
28  
1
2
3
4
5
6
A
0
19  
A
1
A
A
A
A
18  
17  
16  
15  
A
2
A
A
3
4
INPUT BUFFER  
A
0
CE  
27  
26  
25  
OE  
I/O  
GND  
A
1
I/O  
7
8
0
A
3
2
I/O  
0
V
A
CC  
3
4
A
24  
23  
GND  
9
10  
11  
V
I/O  
CC  
A
6
I/O  
I/O  
I/O  
5
1
2
3
1M x 4  
I/O  
A
2
1
ARRAY  
A
WE  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A
7
14  
13  
12  
A
8
A
A
A
A
A
A
12  
13  
14  
15  
16  
5
9
A
6
A
10  
A
7
11  
10  
A
8
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
A
CE  
NC  
9
WE  
1046BV33–1  
1046BV33–2  
OE  
Selection Guide  
7C1046BV33-10 7C1046BV33-12 7C1046BV33-15  
Maximum Access Time (ns)  
10  
150  
8
12  
140  
8
15  
130  
8
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l  
L version  
0.5  
0.5  
0.5  
Shaded areas contain advance information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05170 Rev. **  
Revised September 21, 2001  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1046CV33 CYPRESS

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