CY7C1046D-10VXI

更新时间： 2024-11-05 09:43:31

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		/
页数	文件大小	规格书
15页	446K
描述
4-Mbit (1 M × 4) Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY7C1046D-10VXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.73
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e4
长度：	20.955 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.7592 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY7C1046D-10VXI 数据手册

CY7C1046D

4-Mbit (1 M × 4) Static RAM

4-Mbit (1

M × 4) Static RAM

Features

Functional Description

■ Pin- and function-compatible with CY7C1046B

The CY7C1046D^[1]is a high-performance CMOS static RAM

organized as 1M words by 4 bits. Easy memory expansion is

provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW

Output Enable (OE), and tri-state drivers. Writing to the device

is accomplished by taking Chip Enable (CE) and Write Enable

(WE) inputs LOW. Data on the four I/O pins (I/O₀through I/O₃)

is then written into the location specified on the address pins

(A₀through A₁₉).

■ High speed

❐ t_AA= 10 ns

■ CMOS for optimum speed/power

■ Low active power

❐ I_CC= 90 mA @ 10 ns

Reading from the device is accomplished by taking Chip

Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write

Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of

the memory location specified by the address pins will appear

on the I/O pins.

■ Low CMOS Standby Power

❐ I_SB2= 10 mA

■ Data Retention at 2.0 V

■ Automatic power-down when deselected

■ TTL-compatible inputs and outputs

The four input/output pins (I/O₀through I/O₃) are placed in a

high-impedance state when the device is deselected (CE

HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write

operation (CE LOW, and WE LOW).

■ Easy memory expansion with CE and OE features

■ Available in lead-free 400-mil-wide 32-pin SOJ package

The CY7C1046D is available in a standard 400-mil-wide

32-pin SOJ package with center power and ground

(revolutionary) pinout.

Logic Block Diagram

INPUT BUFFER

I/O

1M x 4

POWER

DOWN

COLUMN

DECODER

Note

1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 38-05705 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised December 1, 2010

[+] Feedback

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与CY7C1046D-10VXI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1046D-10VXIT	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY7C1046DV33	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (1M x 4) Static RAM
CY7C1046DV33_10	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (1 M × 4) Static RAM
CY7C1046DV33-10VXI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (1M x 4) Static RAM
CY7C1046DV33-10VXIT	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY7C1049	CYPRESS	获取价格	512K x 8 Static RAM
CY7C1049-15VC	CYPRESS	获取价格	512K x 8 Static RAM
CY7C1049-15VCT	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY7C1049-17VC	CYPRESS	获取价格	512K x 8 Static RAM
CY7C1049-20VC	CYPRESS	获取价格	512K x 8 Static RAM

与CY7C1046D-10VXI相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY7C1046D-10VXI

CY7C1046D-10VXI 技术参数

CY7C1046D-10VXI 数据手册

与CY7C1046D-10VXI相关器件

与CY7C1046D-10VXI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY7C1046D-10VXI

CY7C1046D-10VXI 技术参数

CY7C1046D-10VXI 数据手册

与CY7C1046D-10VXI相关器件

与CY7C1046D-10VXI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？