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CY7C1046B-15VCT PDF预览

CY7C1046B-15VCT

更新时间： 2024-09-13 18:36:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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CY7C1046B-15VCT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ,
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：15 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
长度：20.955 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.7592 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1046B-15VCT 数据手册

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046B  
CY7C1046B  
1M x 4 Static RAM  
sion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active  
LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to  
the device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and  
Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the four I/O pins (I/O0  
through I/O3) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A19).  
Features  
• High speed  
— tAA = 12 ns  
• Low active power  
— 935 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power (L version)  
— 2.75 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The four input/output pins (I/O0 through I/O3) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1046B is available in a standard 400-mil-wide  
32-pin SOJ package with center power and ground (revolu-  
tionary) pinout.  
The CY7C1046B is a high-performance CMOS static RAM or-  
ganized as 1,048,576 words by 4 bits. Easy memory expan-  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
A0  
A1  
32  
31  
30  
29  
28  
1
2
3
4
5
A19  
A18  
A17  
A16  
A15  
A2  
A3  
A4  
CE  
I/O0  
VCC  
27  
26  
25  
6
7
8
9
10  
11  
OE  
I/O3  
GND  
VCC  
I/O2  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
INPUT BUFFER  
A
0
24  
23  
GND  
I/O1  
WE  
A
1
A
2
22  
21  
20  
19  
18  
17  
I/O  
0
A
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
3
4
12  
13  
14  
15  
16  
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
5
6
1
2
3
1M x 4  
A
ARRAY  
A
7
A
8
A
9
A
10  
1046B–2  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
1046B–1  
OE  
Selection Guide  
7C1046B-12  
7C1046B-15  
7C1046B-20  
Maximum Access Time (ns)  
12  
170  
8
15  
150  
8
20  
130  
8
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l  
L version  
0.5  
0.5  
0.5  
Shaded areas contain advance information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05144 Rev. **  
Revised September 6, 2001  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1046B-20VC CYPRESS

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 		1M x 4 Static RAM
CY7C1046B-20VCT CYPRESS

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