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CY7C1020-10ZC

更新时间： 2024-10-27 22:39:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 178K
描述
32K x 16 Static RAM

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CY7C1020-10ZC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：8.64最长访问时间：10 ns
其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX16
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.001 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm

CY7C1020-10ZC 数据手册

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CY7C1020  
Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA  
Maximum Ratings  
Static Discharge Voltage ........................................... >2001V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Latch-Up Current..................................................... >200 mA  
Storage Temperature .................................–65°C to +150°C  
Ambient Temperature with  
Power Applied............................................. –55°C to +125°C  
Operating Range  
[1]  
Ambient  
Supply Voltage on V to Relative GND .... –0.5V to +7.0V  
CC  
[2]  
Range  
Temperature  
V
CC  
DC Voltage Applied to Outputs  
[1]  
Commercial  
0°C to +70°C  
4.5V–5.5V  
in High Z State .....................................–0.5V to V +0.5V  
CC  
[1]  
DC Input Voltage ..................................–0.5V to V +0.5V  
CC  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
7C1020-10  
7C1020-12  
7C1020-15  
Parameter  
Description  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Test Conditions  
= Min., I = –4.0 mA  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit  
V
V
V
2.4  
2.4  
2.4  
V
V
OH  
CC  
CC  
OH  
V
= Min., I = 8.0 mA  
0.4  
6.0  
0.8  
+1  
0.4  
6.0  
0.8  
+1  
0.4  
6.0  
0.8  
+1  
OL  
OL  
V
2.2  
–0.5  
–1  
2.2  
–0.5  
–1  
2.2  
–0.5  
–1  
V
IH  
IL  
[1]  
V
Input LOW Voltage  
V
I
Input Load Current  
GND < V < V  
CC  
µA  
µA  
IX  
I
I
Output Leakage  
Current  
GND < V < V ,  
CC  
–2  
+2  
–2  
+2  
–2  
+2  
OZ  
I
Output Disabled  
I
I
I
V
Operating  
V
= Max.,  
= 0 mA,  
180  
150  
170  
140  
160  
130  
mA  
mA  
CC  
CC  
CC  
Supply Current  
I
OUT  
L
L
L
f = f  
= 1/t  
MAX  
RC  
Automatic CE  
Power-Down Current  
—TTL Inputs  
Max. V , CE > V  
IH  
V
V
20  
10  
20  
10  
20  
10  
SB1  
SB2  
CC  
> V or  
IN  
IN  
IH  
< V , f = f  
IL  
MAX  
Automatic CE  
Power-Down Current  
—CMOS Inputs  
Max. V  
CE > V – 0.3V,  
V
,
3
3
3
mA  
CC  
CC  
100  
100  
100  
µA  
> V – 0.3V,  
CC  
IN  
or V < 0.3V, f = 0  
IN  
Notes:  
1. IL (min.) = –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.  
2. TA is the case temperature.  
V
2
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1020-10ZCT CYPRESS

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