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CY7C09369V-12AI PDF预览

CY7C09369V-12AI

更新时间： 2024-11-09 20:03:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 526K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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CY7C09369V-12AI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.52最长访问时间：12 ns
最大时钟频率 (fCLK)：50 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e0
内存密度：294912 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16KX18
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.0001 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.25 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CY7C09369V-12AI 数据手册

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51  
CY7C09269V/79V/89V  
CY7C09369V/79V/89V  
PRELIMINARY  
3.3V 16K/32K/64K x 16/18  
Synchronous Dual-Port Static RAM  
[1]  
• High-speed clock to data access 7.5 /9/12 ns (max.)  
Features  
• 3.3V Low operating power  
— Active= 115 mA (typical)  
• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
— Standby= 10 µA (typical)  
• 6 Flow-Through/Pipelined devices  
— 16K x 16/18 organization (CY7C09269V/369V)  
— 32K x 16/18 organization (CY7C09279V/379V)  
— 64K x 16/18 organization (CY7C09289V/389V)  
• 3 Modes  
• Fully synchronous interface for easier operation  
• Burst counters increment addresses internally  
— Shorten cycle times  
— Minimize bus noise  
— Supported in Flow-Through and Pipelined modes  
• Dual Chip Enables for easy depth expansion  
• Upper and Lower Byte Controls for Bus Matching  
• Automatic power-down  
• Commercial and Industrial temperature ranges  
• Available in 100-pin TQFP  
— Flow-Through  
— Pipelined  
— Burst  
• Pipelinedoutputmodeonboth portsallowsfast83-MHz  
operation  
• 0.35-micron CMOS for optimum speed/power  
Logic Block Diagram  
R/W  
R/W  
UB  
L
R
R
UB  
L
CE  
CE  
CE  
CE  
0L  
1L  
0R  
1R  
1
1
0
0
0/1  
0/1  
LB  
LB  
L
R
OE  
OE  
L
R
1b 0b 1a 0a  
0a 1a 0b 1b  
0/1  
0/1  
b
a
a
b
FT/Pipe  
FT/Pipe  
L
R
8/9  
8/9  
8/9  
8/9  
[2]  
[2]  
I/O  
–I/O  
I/O  
–I/O  
8/9R 15/17R  
8/9L  
15/17L  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
[3]  
I/O –I/O  
I/O –I/O[3]  
0R 7/8R  
0L  
7/8L  
14/15/16  
14/15/16  
A
–A[4]  
A
–A[3]  
13/14/15R  
0L  
13/14/15L  
0R  
Counter/  
Address  
Register  
Decode  
Counter/  
Address  
Register  
Decode  
CLK  
CLK  
ADS  
L
R
R
R
R
True Dual-Ported  
RAM Array  
ADS  
L
CNTEN  
CNTEN  
CNTRST  
L
CNTRST  
L
Notes:  
1. Call for Availability.  
2. I/O8–I/O15 for x16 devices; I/O9–I/O17 for x18 devices.  
3. I/O0–I/O7 for x16 devices. I/O0–I/O8 for x18 devices.  
4. A0–A13 for 16K; A0–A14 for 32K; A0–A15 for 64K devices.  
For the most recent information, visit the Cypress web site at www.cypress.com  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
November 23 1998  
1234567...16

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与CY7C09369V-12AI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C09369V-12AXC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-6AC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-6ACT CYPRESS

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 		暂无描述
CY7C09369V-6AXC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-6AXC ROCHESTER

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 		16KX18 DUAL-PORT SRAM, 6.5ns, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-7AC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-7AI CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-7AXC ROCHESTER

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 		16KX18 DUAL-PORT SRAM, 7.5ns, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
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