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CY7C09369V-12AI

更新时间： 2024-01-25 14:45:17

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	526K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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CY7C09369V-12AI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	PLASTIC, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.52	最长访问时间：	12 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	50 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
内存密度：	294912 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16KX18
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

CY7C09369V-12AI 数据手册

CY7C09269V/79V/89V

CY7C09369V/79V/89V

PRELIMINARY

3.3V 16K/32K/64K x 16/18

Synchronous Dual-Port Static RAM

[1]

• High-speed clock to data access 7.5 /9/12 ns (max.)

Features

• 3.3V Low operating power

— Active= 115 mA (typical)

• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-

neous access of the same memory location

— Standby= 10 µA (typical)

• 6 Flow-Through/Pipelined devices

— 16K x 16/18 organization (CY7C09269V/369V)

— 32K x 16/18 organization (CY7C09279V/379V)

— 64K x 16/18 organization (CY7C09289V/389V)

• 3 Modes

• Fully synchronous interface for easier operation

• Burst counters increment addresses internally

— Shorten cycle times

— Minimize bus noise

— Supported in Flow-Through and Pipelined modes

• Dual Chip Enables for easy depth expansion

• Upper and Lower Byte Controls for Bus Matching

• Automatic power-down

• Commercial and Industrial temperature ranges

• Available in 100-pin TQFP

— Flow-Through

— Pipelined

— Burst

• Pipelinedoutputmodeonboth portsallowsfast83-MHz

operation

• 0.35-micron CMOS for optimum speed/power

Logic Block Diagram

R/W

0/1

1b 0b 1a 0a

0a 1a 0b 1b

0/1

FT/Pipe

8/9

[2]

I/O

–I/O

I/O

–I/O

8/9R 15/17R

8/9L

15/17L

I/O

Control

I/O

Control

[3]

I/O –I/O

I/O –I/O^[3]

0R 7/8R

7/8L

14/15/16

–A^[4]

–A^[3]

13/14/15R

13/14/15L

Counter/

Address

Decode

Counter/

Address

Decode

CLK

ADS

True Dual-Ported

RAM Array

ADS

CNTEN

CNTRST

Notes:

1. Call for Availability.

2. I/O₈–I/O₁₅for x16 devices; I/O₉–I/O₁₇for x18 devices.

3. I/O₀–I/O₇for x16 devices. I/O₀–I/O₈for x18 devices.

4. A₀–A₁₃for 16K; A₀–A₁₄for 32K; A₀–A₁₅for 64K devices.

For the most recent information, visit the Cypress web site at www.cypress.com

Cypress Semiconductor Corporation

•

3901 North First Street

•

San Jose

•

CA 95134

•

408-943-2600

November 23 1998

12 3 4 5 6 7...16

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