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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | PLASTIC, TQFP-100 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.52 | 最长访问时间： | 12 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 50 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 294912 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16KX18 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY7C09369V-12AXC | CYPRESS | 3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM |
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| CY7C09369V-6AC | CYPRESS | 3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM |
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| CY7C09369V-6ACT | CYPRESS | 暂无描述 |
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| CY7C09369V-6AXC | CYPRESS | 3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM |
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| CY7C09369V-6AXC | ROCHESTER | 16KX18 DUAL-PORT SRAM, 6.5ns, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
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| CY7C09369V-7AC | CYPRESS | 3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM |
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