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CY7C09379-10AI

更新时间: 2024-01-31 08:05:53
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 631K
描述
Multi-Port SRAM, 64KX9, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

CY7C09379-10AI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:PLASTIC, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:10 ns备用内存宽度:18
最大时钟频率 (fCLK):67 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:14 mm内存密度:589824 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:9
功能数量:1端口数量:2
端子数量:100字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX9输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFQFP封装等效代码:QFP100,.63SQ,20
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.00025 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.41 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

CY7C09379-10AI 数据手册

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