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CY62148G30-45SXI PDF预览

CY62148G30-45SXI

更新时间： 2024-11-05 19:17:07
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 392K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, SOIC-32

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CY62148G30-45SXI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.18
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.446 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：2.997 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.2 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：11.303 mm
Base Number Matches：1

CY62148G30-45SXI 数据手册

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CY62148G MoBL®  
4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM  
with Error-Correcting Code (ECC)  
4-Mbit (512K words  
× 8 bit) Static RAM with Error-Correcting Code (ECC)  
Device is accessed by asserting the chip enable (CE) input LOW.  
Data writes are performed by asserting the Write Enable (WE)  
input LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and  
address on A0 through A18 pins.  
Features  
■ High speed: 45 ns/55 ns  
■ Ultra-low standby power  
Data reads are performed by asserting the Output Enable (OE)  
input and providing the required address on the address lines.  
Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7).  
❐ Typical standby current: 3.5 A  
❐ Maximum standby current: 8.7 A  
■ Embedded ECC for single-bit error correction[1]  
All I/Os (I/O0 through I/O7) are placed in a HI-Z state when the  
device is deselected (CE HIGH or control signal OE is  
de-asserted).  
■ Wide voltage range: 1.65V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, 4.5 V to 5.5 V  
■ 1.0-V data retention  
See the Truth Table – CY62148G on page 12 for a complete  
description of read and write modes.  
■ TTL-compatible inputs and outputs  
■ Pb-free 32-pin SOIC and 32-pin TSOP II packages  
The logic block diagrams are on page 2.  
Functional Description  
CY62148G is a high-performance CMOS low-power (MoBL)  
SRAM device with embedded ECC[1]. This device is offered  
multiple pin configurations.  
Logic Block Diagram – CY62148G  
DATAIN  
ECC ENCODER  
DRIVERS  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
I/O0-I/O7  
512K x 8  
RAM ARRAY  
A6  
A7  
A8  
A9  
COLUMN DECODER  
WE  
CE  
OE  
Note  
1. This device does not support automatic write-back on error detection.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-95415 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised December 1, 2017  
 
1234567...17

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CY62148G30-45SXI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62148G30-45SXIT CYPRESS

完全替代

 4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148EV30LL-55SXI CYPRESS

类似代替

 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148DV30LL-55SXI CYPRESS

类似代替

 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM

与CY62148G30-45SXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62148G30-45SXIT CYPRESS

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 		4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148G30-45ZAXI INFINEON

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 		4Mb 3.0V Industrial 45ns x8 parallel MoBL? SRAM with ECC in 32-pin sTSOP
CY62148G30-45ZSXI CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148G30-45ZSXI INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY62148G30-45ZSXIT CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148G-45SXI CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148G-45SXI INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62148G-45SXIT CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148G-45ZSXI CYPRESS

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 		4-Mbit (512K words × 8 bit) Static RAM with
CY62148G-45ZSXI INFINEON

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 		Asynchronous SRAM

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