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CXT7090LBK PDF预览

CXT7090LBK

更新时间： 2024-02-25 18:14:37
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 354K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PACKAGE-3

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CXT7090LBK 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.26
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CXT7090LBK 数据手册

 浏览型号CXT7090LBK的Datasheet PDF文件第2页 
CXT7090L  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
LOW V  
PNP  
SILICON POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT7090L is a  
Low V PNP Transistor in a Power SOT-89  
surface mount package, designed for DC-DC  
converters for mobile systems and LAN cards, motor  
control, power management and strobe flash units.  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
50  
40  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
3.0  
A
C
I
5.0  
A
CM  
Power Dissipation  
P
1.2  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
100  
10  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=30V, T =100°C  
A
=4.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
50  
40  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =100µA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =500mA, I =5.0mA  
100  
175  
250  
0.8  
250  
450  
750  
1.0  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =1.0A, I =10mA  
C
B
I =2.0A, I =50mA  
C
B
I =1.0A, I =10mA  
C
B
h
h
h
h
V
=2.0V, I =10mA  
300  
250  
200  
150  
100  
800  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=2.0V, I =500mA  
FE  
C
=2.0V, I =1.0A  
FE  
C
=2.0V, I =2.0A  
FE  
C
f
=5V, I =50mA, f=50MHz  
MHz  
T
C
R3 (23-February 2010)  
12

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