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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CXT7090LTR
CXT7090LTR PDF预览

CXT7090LTR

更新时间： 2024-09-24 13:07:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PACKAGE-3

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CXT7090LTR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.24
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CXT7090LTR 数据手册

 浏览型号CXT7090LTR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CXT7090L  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
LOW V  
PNP POWER TRANSISTOR  
CE(SAT)  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT7090L is  
a Low V  
PNP Transistor in a  
Power  
CE(SAT)  
TM  
SOT-89 surface mount package, designed for  
DC-DC converters for mobile systems and LAN  
cards, motor control, power management and  
strobe flash units.  
POWER  
89  
Marking code is CXT7090L.  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
V
V
V
50  
40  
5.0  
3.0  
6.0  
1.2  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
Power Dissipation  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
mV  
mV  
mV  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V, T =100°C  
=4.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
EB  
A
100  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
I =100µA  
50  
40  
5.0  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
EBO  
E
I =500mA, I =5.0mA  
100  
175  
250  
0.8  
250  
450  
750  
1.0  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
C
B
I =1.0A, I =10mA  
C
B
B
B
I =2.0A, I =50mA  
C
I =1.0A, I =10mA  
C
V
=2.0V, I =10mA  
=2.0V, I =500mA  
=2.0V, I =1.0A  
=2.0V, I =2.0A  
300  
250  
200  
150  
100  
800  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
C
C
C
V
V
V
V
FE  
T
f
=5V, I =50mA, f=50MHz  
MHz  
C
R0 ( 07-January 2002)  
12

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