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CXT853TR PDF预览

CXT853TR

更新时间： 2024-01-28 12:15:08
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 286K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SOT-89, 3 PIN

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CXT853TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-89包装说明：SOT-89, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.28外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

CXT853TR 数据手册

 浏览型号CXT853TR的Datasheet PDF文件第2页 
CXT853  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
HIGH CURRENT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT853 type is  
a high current, high voltage silicon NPN transistor.  
Packaged in the SOT-89 surface mount case,  
the CXT853 is ideal for industrial and consumer  
applications requiring high energy efficiency in a small  
package.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
FEATURES:  
• Low Saturation Voltage:  
APPLICATIONS:  
• Power Management  
• DC/DC Converters  
V
=0.340V MAX @ I =5.0A  
CE(SAT)  
C
• Motor Driving  
• Switching  
• PNP Complement: CXT953  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
200  
100  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
6.0  
A
C
P
1.2  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=150V  
10  
1.0  
10  
10  
CBO  
CBO  
CER  
EBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
=150V, T =100°C  
A
=150V, R ≤1.0kΩ  
BE  
=6.0V  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
200  
200  
100  
6.0  
220  
210  
110  
8.0  
CBO  
C
I =10mA, R ≤1.0kΩ  
V
CER  
C
BE  
I =10mA  
V
CEO  
C
I =100μA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =100mA, I =5mA  
22  
50  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
I =2.0A, I =100mA  
135  
170  
340  
1.25  
C
B
I =5.0A, I =500mA  
C
B
I =5.0A, I =500mA  
C
B
R1 (23-February 2010)  
12

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