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CXTA14 PDF预览

CXTA14

更新时间： 2024-09-24 21:53:59
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CENTRAL 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY DARLINGTON TRANSISTORS

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CXTA14 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.28外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz

CXTA14 数据手册

 浏览型号CXTA14的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CXTA14 NPN  
CXTA64 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
SILICON COMPLEMENTARY  
DARLINGTON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXTA14,  
CXTA64 types are complementary silicon  
Darlington transistors manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for  
applications requiring extremely high gain.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
30  
30  
10  
500  
1.2  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
P
D
V
mA  
W
I
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=30V  
=10V  
nA  
nA  
V
V
V
CBO  
EBO  
CES  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
CB  
EB  
BV  
V
V
h
h
f
I =100µA  
30  
C
I =100mA, I =0.1mA  
1.5  
2.0  
C
B
C
V
=5.0V, I =100mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
10,000  
20,000  
125  
C
=5.0V, I =100mA  
FE  
C
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
T
C
R5 (20-May 2004)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXTA14_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
CXTA14BK CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CXTA14TR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CXTA27 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN DARLINGTON TRANSISTOR
CXTA27_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CXTA27BKLEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
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 		SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CXTA42BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CXTA42TR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy

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