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CXTA62BK

更新时间： 2024-01-22 18:21:34

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CENTRAL		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	283K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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CXTA62BK 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CXTA62BK 数据手册

CXTA62

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT

PNP SILICON

DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXTA62 is a

PNP Silicon Darlington transistor manufactured by the

epitaxial planar process, epoxy molded in a surface

mount package, designed for applications requiring

extremely high gain.

MARKING: FULL PART NUMBER

SOT-89 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CES

EBO

Continuous Collector Current

Power Dissipation

500

1.2

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

-65 to +150

104

°C

J, stg

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

100

UNITS

=15V

=10V

CBO

EBO

100

I =100µA

CES

CBO

I =100µA

I =10mA, I =10µA

1.0

1.4

CE(SAT)

BE(ON)

=5.0V, I =10mA

20K

R3 (23-February 2010)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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