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Datasheet > CSD86356Q5DT
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CSD86356Q5DT

更新时间： 2024-11-25 11:13:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 1110K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 | DMV | 8 | -55 to 150

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CSD86356Q5DT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HSON,
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.69模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：22 V
标称输入电压：12 VJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3长度：6 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HSON封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1.05 mm表面贴装：YES
切换器配置：BUCK最大切换频率：1500 kHz
温度等级：MILITARY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：5 mmBase Number Matches：1

CSD86356Q5DT 数据手册

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CSD86356Q5D  
ZHCSHY1 –MARCH 2018  
CSD86356Q5D 同步降压 NexFET™电源块  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
半桥电源块  
CSD86356Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应  
用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形  
提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V  
栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器/驱动器的  
任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决  
方案来实现高密度电源。  
25A 电流下系统效率高达 93.0%  
工作电流高达 40A  
高频工作（高达 1.5MHz）  
高密度 SON 5mm × 6mm 封装  
针对 5V 栅极驱动进行了优化  
开关损耗较低  
超低电感封装  
符合 RoHS 标准  
俯视图  
无卤素  
VIN  
VIN  
TG  
VSW  
VSW  
VSW  
1
2
3
4
8
7
6
5
无铅引脚镀层  
PGND  
(Pin 9)  
2 应用  
•
同步降压转换器  
TGR  
BG  
–
–
高频 应用  
P0116-01  
高电流、低占空比 应用  
器件信息(1)  
数量  
•
•
•
多相位同步降压转换器  
器件  
介质  
封装  
发货  
负载点 (POL) 直流/直流转换器  
IMVP、VRM 和 VRD 应用  
CSD86356Q5D 13 英寸卷带 2500  
CSD86356Q5DT 7 英寸卷带 250  
5.00mm × 6.00mm  
SON 塑料封装  
卷带封  
装
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
典型电路  
典型电源块效率与功率损耗  
100  
95  
90  
85  
80  
75  
70  
65  
7
6
5
4
3
2
1
0
VIN  
BOOT  
VDD  
VDD  
GND  
VIN  
TG  
Control  
FET  
DRVH  
LL  
VSW  
TGR  
VIN = 12 V  
OUT = 1.3 V  
VSW = 5 V  
VOUT  
ENABLE  
PWM  
ENABLE  
PWM  
V
Sync  
FET  
BG  
fSW = 500 kHz  
DRVL  
PGND  
LOUT = 0.3  
mH  
TA = 25  
èC  
CSD86356Q5D  
Driver IC  
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
Output Current (A)  
D000  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS665  
 
 
 
1234567...28

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与CSD86356Q5DT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD86360Q5D TI

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 		Synchronous Buck NexFET Power Block
CSD863D CDIL

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 		Transistor
CSD863E CDIL

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 		Transistor
CSD863F CDIL

获取价格

 		Transistor
CSD87312Q3E TI

获取价格

 		Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD87313DMS TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexF
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 		CSD87333Q3D Synchronous Buck NexFET™ Power

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