5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD17303Q5
CSD17303Q5 PDF预览

CSD17303Q5

更新时间： 2024-09-25 06:49:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
9页 361K
描述
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD17303Q5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.68
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：306913Samacsys Pin Count：9
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：Q5_1Samacsys Released Date：2018-11-19 18:10:18
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：530 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：108 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD17303Q5 数据手册

 浏览型号CSD17303Q5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD17303Q5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD17303Q5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD17303Q5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD17303Q5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD17303Q5的Datasheet PDF文件第7页 
CSD17303Q5  
www.ti.com  
SLPS246A –JANUARY 2010–REVISED FEBRUARY 2010  
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD17303Q5  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
•
Optimized for 5V Gate Drive  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
18  
4
V
Ultralow Qg and Qgd  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Qgd  
VGS = 3V  
2.7  
2
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS = 4.5V  
VGS = 8V  
1.1  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
1.7  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
Halogen Free  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
text  
text  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
•
•
Notebook Point-of-Load  
Point-of-Load Synchronous Buck in  
Networking, Telecom and Computing Systems  
Device  
CSD17303Q5  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
•
Optimized for Synchronous FET Applications  
text  
text  
DESCRIPTION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications,  
and optimized for 5V gate drive applications.  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
30  
Gate to Source Voltage  
+10 / –8  
100  
V
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
ID  
Top View  
32  
A
IDM  
PD  
TJ,  
200  
A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
3.2  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
530  
°C  
TSTG Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 103A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
qJA = 39°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-mm thick)  
Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
D
(1)  
R
D
P0094-01  
(2) Pulse duration ≤300ms, duty cycle ≤2%"  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
6
5
4
3
2
1
0
8
ID = 25A  
ID = 25A  
VDS = 15V  
7
6
5
4
3
2
1
0
TC = 125°C  
TC = 25°C  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
VGS - Gate-to-Source Voltage - V  
Qg - Gate Charge - nC  
G006  
G003  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated  
 
1234567...9

中文翻译

下载PDF

CSD17303Q5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17311Q5 TI

类似代替

 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET
CSD17312Q5 TI

类似代替

 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
CSD17313Q2 TI

功能相似

 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

与CSD17303Q5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD17304Q3 TI

获取价格

 		30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17304Q3_10 TI

获取价格

 		The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD17305Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17305Q5A_10 TI

获取价格

 		The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD17306Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17307Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17308Q3 TI

获取价格

 		30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17308Q3T TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET
CSD17309Q3 TI

获取价格

 		30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17310Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

与CSD17303Q5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证