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CS20L50CT-A

更新时间： 2022-02-26 14:49:16

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Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier

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CS20L50CT-A 数据手册

CS20L50CT-A

Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier

Chip Integration Technology Corporation

Main Product Characteristics

■ Outline

I_F(AV)

V_RRM

T_J

2x10A

Dimensions in inches(millimeters)

TO-220AB

symbol

Min

Max

ØP

50V

0.398(10.1)

0.236(6.0)

0.579(14.7)

0.543(13.8)

0.143(3.63)

0.104(2.64)

0.335(8.5)

0.046(1.17)

0.028(0.71)

0.098(2.49)

0.176(4.47)

0.046(1.17)

0.102(2.6)

0.019(0.28)

0.147(3.74)

0.406(10.3)

0.252(6.4)

0.594(15.1)

0.551(14.0)

0.159(4.03)

0.112(2.84)

0.350(8.9)

0.054(1.37)

0.036(0.91)

0.102(2.59)

0.184(4.67)

0.054(1.37)

0.110(2.8)

0.021(0.48)

0.155(3.94)

150^OC

0.42V

V_(Typ)

Marking code

■ Features

ØP

• Low forward voltage drop.

• Excellent high temperature stability.

• Fast switching capability.

Alternate

Dimensions in inches(millimeters)

• Lead-free parts meet environmental standards of

MIL-STD-19500 /228

symbol

Min

0.394(10.0)

0.228(5.8)

Max

0.413(10.5)

0.268(6.8)

ØP

0.570(14.48) 0.625(15.87)

0.519(13.18) 0.558(14.18)

■ Mechanical data

0.089(3.5)

0.100(2.54)

0.330(8.38)

0.045(1.15)

0.029(0.75)

0.095(2.42)

0.160(4.07)

0.045(1.15)

0.080(2.04)

0.013(0.33)

0.148(3.75)

0.099(3.9)

0.120(3.04)

0.350(8.9)

0.060(1.52)

0.037(0.95)

0.105(2.66)

0.190(4.82)

0.055(1.39)

0.110(2.8)

Marking code

• Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.

• Case : JEDEC TO-220AB molded plastic body.

• Terminals : Solder plated, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026.

• Polarity: As marked.

• Mounting Position : Any.

ØP

0.019(0.52)

0.156(3.95)

PIN 2

• Weight : Approximated 2.25 gram.

PIN 1

PIN 3

■ Maximum ratings and electrical characteristics

Dimensions in inches and (millimeters)

Rating at 25^OC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Parameter

Marking code

Conditions

Symbol

CS20L50CT-A

CS20L50CT

UNIT

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RWM

V_RM

I_O

Forward rectified current (total device)

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rate load (JEDEC method)

Forward surge current (per diode)

I_FSM

250

Peak repetitive reverse surge current

(per diode)

I_RRM

2us - 1kHz

^OC/W

^OC

R_θJC

Thermal resistance(1)

Junction to case

Operating and Storage temperature

T_J, T_STG

-55 ~ +150

Parameter

Conditions

I_F= 10A, T_J= 25^OC

I_F= 10A, T_J= 125^OC

I_F= 20A, T_J= 25^OC

V_R= V_RRMT_J= 25^OC

V_R= V_RRMT_J= 125^OC

Symbol

V_F

MIN.

TYP.

420

MAX.

UNIT

500

470

600

0.5

Forward voltage drop (per diode)

I_R

Reverse current (per diode)

100

Note : 1.Thermal resistance from junction to case per leg, with heatsink size(1.35" x 0.95" x 0.18") Al-plate.

Document ID : DS-11KBF

Revised Date : 2015/08/10

Revision : C7

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CS20L60CT-A	CITC	获取价格	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier
CS20L80CT	CITC	获取价格	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier
CS20N50A0R	CRMICRO	获取价格	TO-263
CS20N50A8H	CRMICRO	获取价格	TO-220
CS20N50A8R	CRMICRO	获取价格	TO-220
CS20N50ANH	CRMICRO	获取价格	TO-3P
CS20N50ANR	CRMICRO	获取价格	TO-3P
CS20N50FA9R	CRMICRO	获取价格	TO-220F
CS20N60	ETC	获取价格	3.3V, Low Power, 30Mbps, RS-485/RS-422 Transceiver
CS20N60A8H	CRMICRO	获取价格	TO-220

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