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CRSS023N08N

更新时间： 2024-11-18 15:19:15

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华润微 - CRMICRO		/
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10页	631K
描述
TO-263(或D2PAK)

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CRSS023N08N 数据手册

CRST025N08N,CRSS023N08N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ85V,ꢀ2mꢂ,ꢀ180A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

85V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

2mꢂ

180A

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST025N08N

CRSS023N08N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST025N08N

CRSS023N08N

N/A

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

240ꢀ

180

I_D

152ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

720ꢀ

576ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

227ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

Notes:1.EASꢀwasꢀtestedꢀatꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀIDꢀ=ꢀ48A.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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