Datasheet > CRSS031N08N

CRSS031N08N

更新时间： 2024-04-09 18:59:02

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	570K
描述
TO-263(或D2PAK)

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRSS031N08N 数据手册

CRST033N08N,CRSS031N08N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ85V,ꢀ2.5mꢂ,ꢀ160A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

85V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

2.5mꢂ

160A

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST033N08N

CRSS031N08N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST033N08N

CRSS031N08N

N/A

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

208ꢀ

160

I_D

131ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

640ꢀ

400ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

227ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

Notes:1.EASꢀwasꢀtestedꢀatꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀIDꢀ=ꢀ40A.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...10

下载PDF

与CRSS031N08N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CRSS035N10N	CRMICRO	TO-263(或D2PAK)	获取价格
CRSS037N08N3	CRMICRO	TO-263(或D2PAK)	获取价格
CRSS037N10N	CRMICRO	TO-263(或D2PAK)	获取价格
CRSS038N08N	CRMICRO	TO-263(或D2PAK)	获取价格
CRSS039N12N	CRMICRO	TO-263(或D2PAK)	获取价格
CRSS042N10N	CRMICRO	TO-263(或D2PAK)	获取价格