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CRSS031N08N

更新时间： 2024-04-09 18:59:02

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华润微 - CRMICRO		/
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TO-263(或D2PAK)

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CRSS031N08N 数据手册

CRST033N08N,CRSS031N08N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ85V,ꢀ2.5mꢂ,ꢀ160A

华润微电子(重庆)有限公司

Figꢀ8:ꢀBodyꢁdiodeꢀForwardꢀ

Characteristics

Figꢀ7:ꢀGateꢀChargeꢀCharacteristics

100

V_DS=40V

I_D=80A

125˚C

25˚C

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

120

150

V_SD- Diode Forward Voltage(V)

Qg (nC)

Figꢀ10:ꢀDrainꢀCurrentꢀDerating

Figꢀ9:ꢀPowerꢀDissipation

180

250

160

140

120

100

200

150

100

V_GS≥10V

100

125

150

100

125

150

175

Tc - Case Temperature (°C)

Figꢀ11:ꢀSafeꢀOperatingꢀArea

1000

1us

Limited by

Rds(on)

10us

100

100us

1ms

10ms

Single pulse

Tc=25˚C

0.1

100

V_DS(V)

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 5

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