Datasheet > CRSS031N08N

CRSS031N08N

更新时间： 2024-04-09 18:59:02

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	570K
描述
TO-263(或D2PAK)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRSS031N08N 数据手册

CRST033N08N,CRSS031N08N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ85V,ꢀ2.5mꢂ,ꢀ160A

华润微电子(重庆)有限公司

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Max

0.55ꢀ

Unit

R_thJC

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀ–ꢀcase.

°C/W

R_thJA

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀ–ꢀambient(min.ꢀfootprint)

Electrical Characteristic (at Tj = 25 °C, unless otherwise specified)

Value

Symbol

Parameter

Unit

Test Condition

min.

typ.

max.

Static Characteristic

Drainꢁsourceꢀbreakdownꢀ

voltage

BV_DSS

V_GS=0V,ꢀI_D=250uA

V_DS=V_GS,I_D=250uA

ꢁ

V_GS(thꢀ)

Gateꢀthresholdꢀvoltage

2.2

3.8

V_DS=80V,V_GS=0V

T_j=25°C

Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀ

current

I_DSS

ꢁ

0.05

ꢁ

ꢃA

T_j=125°C

Gateꢁsourceꢀleakageꢀ

current

I_GSS

V_GS=±20V,V_DS=0V

V_GS=10V,ꢀI_D=80A

ꢁ

±10

±100

Drainꢁsourceꢀonꢁstateꢀ

resistance

R_DS(on)

ꢁ

2.5ꢀ

2.3ꢀ

144

3.0ꢀ

2.8ꢀ

ꢁ

TOꢁ220

mꢂ

TOꢁ263

g_fs

V_DS=5V,I_D=80A

Transconductance

Dynamic Characteristic

InputꢀCapacitance

C_iss

ꢁ

8930

1746

ꢁ

V_GS=0V,ꢀV_DS=40V,ꢀ

f=1MHz

C_oss

OutputꢀCapacitance

ReverseꢀTransferꢀ

Capacitance

C_rss

ꢁ

Q_G

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

GateꢀTotalꢀCharge

GateꢁSourceꢀcharge

GateꢁDrainꢀcharge

Turnꢁonꢀdelayꢀtime

Riseꢀtime

ꢁ

130

ꢁ

V_GS=10V,ꢀV_DS=40V,ꢀ

I_D=80A,ꢀf=1MHz

108

V_GS=10V,ꢀV_DD=40V,ꢀ

R_{G_ext}=3.0ꢂ

ꢂ

t_d(off)

t_f

Turnꢁoffꢀdelayꢀtime

Fallꢀtime

120

V_GS=0V,ꢀV_DS=0V,ꢀ

f=1MHz

R_G

Gateꢀresistance

ꢁ

2.1

ꢁ

Page 2

123 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与CRSS031N08N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CRSS035N10N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS037N08N3	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS037N10N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS038N08N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS039N12N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS042N10N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS043N14N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS044N12N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS045N07N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS046N08N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)