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CRSS046N08N

更新时间： 2024-11-20 15:19:15

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华润微 - CRMICRO		/
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10页	588K
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TO-263(或D2PAK)

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CRSS046N08N 数据手册

CRST049N08N,ꢀCRSS046N08N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ85V,ꢀ4.1mꢂ,ꢀ120A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

85V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

4.1mꢂ

120A

Applications

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST049N08N

CRSS046N08N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST049N08N

CRSS046N08N

N/A

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

150ꢀ

120

95ꢀ

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS(Noteꢀ1)

V_GS

480ꢀ

196ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)

GateꢁSourceꢀvoltage

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

189ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

※.ꢀNotes:1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ28A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀEAS(max)=784mJꢀunderꢀ

IAS(max)=56AꢀandꢀaboveꢀConditions;

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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