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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMUT5087E
CMUT5087E PDF预览

CMUT5087E

更新时间： 2024-12-01 03:26:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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CMUT5087E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.33Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMUT5087E 数据手册

 浏览型号CMUT5087E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMUT5087E PNP  
CMUT5088E NPN  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT ULTRAmini™  
COMPLEMENTARY  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMUT5087E, and CMUT5088E, are Silicon  
transistors in an ULTRAmini™ surface mount  
package with enhanced specifications designed  
for applications requiring high gain and low  
noise.  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODES:  
CMUT5087E PNP MARKING CODE: U87  
CMUT5088E NPN MARKING CODE: U88  
SOT-523 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25oC)  
A
SYMBOL  
UNITS  
♦
♦
♦
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
50  
50  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
5.0  
100  
350  
V
EBO  
I
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
-65 to +150  
357  
oC  
oC/W  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25oC unless otherwise noted)  
A
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
nA  
V
I
V
V
=20V  
CBO  
CB  
EB  
I
=3.0V  
50  
EBO  
BV  
I =100µA  
50  
50  
135  
65  
150  
105  
7.5  
50  
♦
♦
CBO  
C
BV  
I =1.0mA  
C
V
CEO  
♦ BV  
I =100µA  
5.0  
8.7  
45  
V
EBO  
E
♦
♦♦  
V
I =10mA, I =1.0mA  
100  
400  
800  
900  
mV  
mV  
mV  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
V
V
h
I =100mA, I =10mA  
110  
700  
430  
435  
430  
125  
225  
700  
390  
380  
350  
75  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
C
B
V
=5.0V, I =0.1mA  
300  
300  
300  
50  
♦
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
h
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
FE  
h
h
f
=5.0V, I =10mA  
♦
♦♦  
♦
FE  
FE  
C
=5.0V, I =100mA  
C
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
C
h
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
E
4.0  
15  
ob  
ib  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
C
350  
1400  
3.0  
fe  
NF  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ f=10Hz to 15.7kHz  
dB  
C
S
♦
Enhanced specification.  
♦ ♦ Additional Enhanced specification.  
R1 (12-February 2003)  
12

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与CMUT5087E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMUT5087E_10 CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMUT5087ELEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMI
CMUT5087ETR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMI
CMUT5087ETRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMUT5088E CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMUT5088EBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMI
CMUT5088ELEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMI
CMUT5088ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMI
CMUT5179 CENTRAL

获取价格

 		ULTRAmini. SURFACE MOUNT NPN SILICON RF TRANSISTOR
CMUT5179_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON RF TRANSISTOR

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