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CMBT4123

更新时间： 2024-02-27 10:07:35

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CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	98K
描述
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

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CMBT4123 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

CMBT4123 数据手册

CMBT4123

Storage temperature

Junction temperature

–55 to +150 ° C

stg

max.

150 ° C

THERMAL CHARACTERISTICS

T = P (R

+ R ) + T

th s–a amb

th j–t

Thermal resistance

from junction to ambient

556 °C/mW

th j–a

CHARACTERISTICS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Collector–emitter breakdown voltage

–I = 1 mA; I = 0

–V

min.

max.

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

CBO

Collector–base breakdown voltage

–I = 10 mA; I = 0

Emitter–base breakdown voltage

–I = 10 mA; I = 0

Collector cut–off current

–V = 20 V; I = 0 V

–I

50 nA

Emitter cut–off current

= 3 V; I =0

Output capacitance at f = 100 kHz

= 0; –V = 5 V

EBO

Input capacitance at f = 100 kHz

= 0; –V = 0.5 V

Saturation voltages

–I = 50 mA; –I = 5 mA

–V

max.

0.3

0.95

CEsat

BEsat

–I = 50 mA; –I = 5 mA

D.C. current gain

–I = 2 mA; –V

= 1 V

min.

max.

150

–I = 50 mA; –V

C CE

= 1 V

min.

Noise figure at R = 1 kW

–I = 100 mA; –V

C CE

= 5 V

f = 10 Hz to 15.7 kHz

max.

min.

Transition frequency

–I = 10 mA; –V

C CE

= 20 V; f = 100 MHz

250 MHz

Small signal current gain

–V = 1 V; –I = 2 mA; f = 1 KHz

min.

max.

200

Continental Device India Limited

Data Sheet

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