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CMBT3904ETRPBFREE

更新时间: 2024-01-10 19:32:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 205K
描述
Transistor,

CMBT3904ETRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):100
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

CMBT3904ETRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMBT3904ETRPBFREE的Datasheet PDF文件第1页 
TM  
CMBT3904E NPN  
CMBT3906E PNP  
Central  
ENHANCED SPECIFICATION  
COMPLEMENTARY FEMTOminiTM  
SILICON TRANSISTORS  
Semiconductor Corp.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
NPN  
TYP  
PNP  
TYP  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN  
90  
MAX  
UNITS  
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =0.1mA  
C
240  
235  
215  
110  
50  
130  
150  
150  
120  
55  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
=1.0V, I =1.0mA  
C
100  
100  
70  
FE  
=1.0V, I =10mA  
C
300  
FE  
h
=1.0V, I =50mA  
C
FE  
h
f
=1.0V, I =100mA  
C
30  
FE  
=20V, I =10mA, f=100MHz  
C
300  
MHz  
pF  
T
C
C
h
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
E
4.0  
8.0  
12  
ob  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
pF  
ib  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
C
1.0  
0.1  
100  
1.0  
kΩ  
ie  
-4  
h
h
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
C
10  
X10  
re  
fe  
oe  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
C
400  
60  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
C
µmhos  
dB  
NF  
=5.0V, I =100µA, R =1.0k,  
4.0  
C
S
f=10Hz to 15.7kHz  
t
V
V
V
V
=3.0V, V =0.5V, I =10mA, I =1.0mA  
BE B1  
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
d
CC  
CC  
CC  
CC  
C
t
=3.0V, V =0.5V, I =10mA, I =1.0mA  
BE B1  
r
C
t
=3.0V, I =10mA, I =I =1.0mA  
B1 B2  
200  
50  
s
C
t
f
=3.0V, I =10mA, I =I =1.0mA  
B1 B2  
C
Enhanced specification.  
SOT-923 - MECHANICAL OUTLINE  
LEAD CODE:  
1) BASE  
2) EMITTER  
3) COLLECTOR  
R0 (17-April 2007)  

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