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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 9 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CLY15 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz) |
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| CLY2 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies up to 3 GHz) |
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| CLY29 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel C-Band GaAs Power-MESFET |
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| CLY29-00 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel C-Band GaAs Power-MESFET |
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| CLY29-00P | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CLY29-00S | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CLY29-05 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel C-Band GaAs Power-MESFET |
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| CLY29-05ES | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CLY29-05P | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CLY29-05S | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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