Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CLY29-05S

CLY29-05S

更新时间： 2024-09-15 13:06:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器局域网
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9页	622K
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN

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CLY29-05S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	14 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.7 A
最大漏极电流 (ID)：	0.7 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	14 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CLY29-05S 数据手册

CLY29

HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• For professional power amplifiers

• For frequencies from 100 MHz to 8 GHz

• Hermetically sealed microwave power package

• Low thermal resistance for

high voltage application

• Power added efficiency > 55 %

•

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/006,

Type Variant No.s 04 to 06

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration Package

CLY29-00 (ql)

CLY29-05 (ql)

CLY29-10 (ql)

see below

MWP-25

CLY29-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702L117

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702L116

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 10

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CLY29-10	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY29-10ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLY29-10P	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLY29-10S	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLY32	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY32-00	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY32-00ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLY32-00H	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLY32-00P	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLY32-00S	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M

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