Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CLY32-10S

CLY32-10S

更新时间： 2025-08-10 13:02:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	532K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CLY32-10S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	14 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	6.75 W	最小功率增益 (Gp)：	11.5 dB
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	ESA/SCC 5614/006
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CLY32-10S 数据手册

CLY32

HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• For professional power amplifiers

• For frequencies from 100 MHz to 6 GHz

• Hermetically sealed microwave power package

• Low thermal resistance for

high voltage application

• Power added efficiency > 53 %

•

Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/006,

Type Variant No.s 01 to 03

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration Package

CLY32-00 (ql)

CLY32-05 (ql)

CLY32-10 (ql)

see below

MWP-25

CLY32-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702L100

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702L120

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 10

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与CLY32-10S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CLY35	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY35-00	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY35-00ES	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-00H	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-00P	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-00S	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-05	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY35-05ES	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-05H	INFINEON	获取价格	暂无描述
CLY35-10	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CLY32-10S

CLY32-10S 技术参数

CLY32-10S 数据手册

与CLY32-10S相关器件

与CLY32-10S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CLY32-10S

CLY32-10S 技术参数

CLY32-10S 数据手册

与CLY32-10S相关器件

与CLY32-10S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？