CLY5

更新时间： 2024-11-08 22:28:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管功率放大器光电二极管移动电话
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描述
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)

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CLY5 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	9 V	最大漏极电流 (ID)：	1.2 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	10.5 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CLY5 数据手册

GaAs FET

CLY 5

________________________________________________________________________________________________________

D a t a s h e e t

* Power amplifier for mobile phones

* For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz

* Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V

* P_OUTat V_D=3V, f=1.8GHz typ. 26.5 dBm

* High efficiency better 55 %

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

Marking

Ordering code

(taped)

Pin Configuration

Package 1)

CLY 5

Q62702-L90

SOT 223

Maximum ratings

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current

-6

1.2

Channel temperature

Storage temperature

Pulse peak power

150

°C

stg

-55...+150

Pulse

Total power dissipation (T < 80 °C)

tot

T : Temperature at soldering point

Thermal Resistance

Channel-soldering point

K/W

≤35

thChS

1) Dimensions see chapter Package Outlines

Siemens Aktiengesellschaft

pg. 1/8

17.12.96

HL EH PD21

12 3 4 5 6 7 8

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