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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> CLY38-05ES
CLY38-05ES PDF预览

CLY38-05ES

更新时间： 2024-11-09 13:06:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 540K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN

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CLY38-05ES 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：14 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 A
最大漏极电流 (ID)：5.6 AFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：30 W
认证状态：Not Qualified参考标准：ESA-SCC-5614/008
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

CLY38-05ES 数据手册

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CLY38  
HiRel C-Band GaAs Power-MESFET  
• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor  
• For professional power amplifiers  
• For frequencies from 100 MHz to 4.2 GHz  
• Hermetically sealed microwave power package  
• Low thermal resistance for  
high voltage application  
• Power added efficiency > 53 %  
•
Space Qualification Expected 1998  
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/008,  
Type Variant No.s 01 to 03  
ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration Package  
1
2
3
CLY38-00 (ql)  
CLY38-05 (ql)  
CLY38-10 (ql)  
-
see below  
G
S
D
MWP-35  
CLY38-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)  
(ql) Quality Level:  
P: Professional Quality,  
H: High Rel Quality,  
S: Space Quality,  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Q62702L111  
on request  
on request  
ES: ESA Space Quality,  
Q62702L110  
(see order instructions for ordering example)  
S e miconductor Group  
1 of 10  
Dra ft D, S e pte mbe r 99  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CLY38-05S INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY38-10 INFINEON

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 		HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY38-10ES INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY38-10H INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY38-10P INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY38-10S INFINEON

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 		暂无描述
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