CLY35-00S

更新时间： 2024-09-16 13:06:55

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9页	530K
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN

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CLY35-00S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	14 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.8 A
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	18 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CLY35-00S 数据手册

CLY35

HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• For professional power amplifiers

• For frequencies from 100 MHz to 4.5 GHz

• Hermetically sealed microwave power package

• Low thermal resistance for

high voltage application

• Power added efficiency > 53 %

•

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/008,

Type Variant No.s 04 to 06

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration Package

CLY35-00 (ql)

CLY35-05 (ql)

CLY35-10 (ql)

see below

MWP-35

CLY35-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702L113

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702L112

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 9

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CLY35-05H	INFINEON	获取价格	暂无描述
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