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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> CLY35-00P
CLY35-00P PDF预览

CLY35-00P

更新时间： 2024-11-09 13:06:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 530K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN

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CLY35-00P 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：14 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：18 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

CLY35-00P 数据手册

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CLY35  
HiRel C-Band GaAs Power-MESFET  
• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor  
• For professional power amplifiers  
• For frequencies from 100 MHz to 4.5 GHz  
• Hermetically sealed microwave power package  
• Low thermal resistance for  
high voltage application  
• Power added efficiency > 53 %  
•
Space Qualification Expected 1998  
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/008,  
Type Variant No.s 04 to 06  
ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration Package  
1
2
3
CLY35-00 (ql)  
CLY35-05 (ql)  
CLY35-10 (ql)  
-
see below  
G
S
D
MWP-35  
CLY35-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)  
(ql) Quality Level:  
P: Professional Quality,  
H: High Rel Quality,  
S: Space Quality,  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Q62702L113  
on request  
on request  
ES: ESA Space Quality,  
Q62702L112  
(see order instructions for ordering example)  
S e miconductor Group  
1 of 9  
Dra ft D, S e pte mbe r 99  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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