CLY35-00P

更新时间： 2024-11-06 13:06:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	530K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CLY35-00P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	14 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.8 A	最大漏极电流 (ID)：	2.8 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	18 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CLY35-00P 数据手册

CLY35

HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• For professional power amplifiers

• For frequencies from 100 MHz to 4.5 GHz

• Hermetically sealed microwave power package

• Low thermal resistance for

high voltage application

• Power added efficiency > 53 %

•

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/008,

Type Variant No.s 04 to 06

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration Package

CLY35-00 (ql)

CLY35-05 (ql)

CLY35-10 (ql)

see below

MWP-35

CLY35-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702L113

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702L112

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 9

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与CLY35-00P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CLY35-00S	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-05	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY35-05ES	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-05H	INFINEON	获取价格	暂无描述
CLY35-10	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY35-10ES	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY35-10H	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
CLY38	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY38-00	INFINEON	获取价格	HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
CLY38-00ES	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se

与CLY35-00P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CLY35-00P

CLY35-00P 技术参数

CLY35-00P 数据手册

与CLY35-00P相关器件

与CLY35-00P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CLY35-00P

CLY35-00P 技术参数

CLY35-00P 数据手册

与CLY35-00P相关器件

与CLY35-00P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？