CLY15

更新时间： 2024-09-14 22:28:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器光电二极管移动电话
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7页	63K
描述
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)

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CLY15 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	9 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CLY15 数据手册

GaAs FET

CLY 15

________________________________________________________________________________________________________

D a t a s h e e t

* Power amplifier for mobile phones

* For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz

* Operating voltage range: 2.7 to 6 V

* P_OUTat V_D=3V, f=1.8 GHz typ. 31.5 dBm

* Efficiency better 50%

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

Marking

Ordering code

(taped)

Package 1)

CLY 15

Q62702-L99

SOT 223

Maximum ratings

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

Unit

-6

Channel temperature

Storage temperature

150

°C

-55...+150

4.7

stg

Total power dissipation (Ts < 80°C)

Ts: Temperature at soldering point

tot

Thermal resistance

< 15

K/W

thChS

Channel-soldering point (GND)

1) Dimensions see chapter Package Outlines

Siemens Aktiengesellschaft

pg. 1/7

09/96

HL EH PD 21

12 3 4 5 6 7

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