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CJBA7002KL

更新时间： 2024-11-19 14:53:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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DFN1006-3L

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CJBA7002KL 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETs

CJBA7002KL N-Channel MOSFET

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

3.5Ω@10V

4.0Ω@4.5V

I_D

DFN1006-3L

60V

0.34A

FEATURE

High density cell design for Low R_DS

（

）

Voltage controlled small signal switch

Rugged and reliable

High saturation current capability

ESD protected

APPLICATION

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

MARKING

Equivalent Circuit

Top View

KL=Device code

Solid dot = Pin 1 indicator

MOSFET MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

0.34

Continuous Drain Current

Power Dissipation(note1)

I_D

P_D

275

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient(note1)

R_θJA

T_J,T_STG

455

Operation Junction and Storage Temperature Range

-55~ +150

Rev. - 1.2

www.jscj-elec.com

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