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CJD112TR13LEADFREE

更新时间: 2024-11-21 17:52:27
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CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,

CJD112TR13LEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.1
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
基于收集器的最大容量:100 pF集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:20 W
最大功率耗散 (Abs):20 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):25 MHzVCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1

CJD112TR13LEADFREE 数据手册

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