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CJD117

更新时间: 2024-11-04 22:28:35
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CENTRAL 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 484K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR

CJD117 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.09外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:20 W最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):25 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

CJD117 数据手册

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