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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.1 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 基于收集器的最大容量： | 300 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CJD127BKLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CJD127LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CJD127PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| CJD127PNP | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| CJD127TIN/LEAD | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| CJD127TR13PBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CJD13003 | CENTRAL |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| CJD13003BK | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| CJD13003BKLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| CJD136 | CDIL |
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TRIAC |
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