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CJD200_10

更新时间： 2024-11-25 09:25:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
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2页 420K
描述
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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CJD200_10 数据手册

 浏览型号CJD200_10的Datasheet PDF文件第2页 
CJD200 NPN  
CJD210 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210  
types are Complementary Silicon Power Transistors  
manufactured in a surface mount package designed for  
high current amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DPAK TRANSISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
25  
8.0  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
10  
1.0  
12.5  
1.4  
A
A
A
W
C
I
CM  
I
P
P
B
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
W
A
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
10  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Θ
JC  
Θ
89.3  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
100  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=40V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=40V, T =125°C  
C
=8.0V  
BV  
I =10mA  
25  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
V
V
V
h
h
h
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.75  
1.8  
2.5  
1.6  
C
B
I =2.0A, I =200mA  
C
B
I =5.0A, I =1.0A  
C
B
I =5.0A, I =1.0A  
C
B
V
=1.0V, I =2.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
C
C
C
C
E
E
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =500mA  
70  
45  
10  
65  
=1.0V, I =2.0A  
=2.0V, I =5.0A  
180  
FE  
FE  
f
=10V, I =100mA, f=10MHz  
=10V, I =0, f=0.1MHz (CJD200)  
=10V, I =0, f=0.1MHz (CJD210)  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
80  
120  
ob  
ob  
R2 (4-January 2010)  
12

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