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CJD13003

更新时间: 2024-11-04 22:28:35
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 686K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

CJD13003 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.23
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:15 W
最大功率耗散 (Abs):15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzVCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1

CJD13003 数据手册

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