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CGH40045P

更新时间： 2024-11-13 21:16:31

品牌	Logo	应用领域
科锐 - CREE		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1227K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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CGH40045P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	120 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches：	1

CGH40045

45 W, RF Power GaN HEMT

Cree’s CGH40045 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron

mobility transistor (HEMT). The CGH40045, operating from a 28 volt

rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF

and microwave applications. GaN HEMTs offer high efﬁciency, high

gain and wide bandwidth capabilities making the CGH40045 ideal

for linear and compressed ampliﬁer circuits. The transistor is

available in a ﬂange and pill package.

FEATURES

APPLICATIONS

• Up to 4 GHz Operation

• 2-Way Private Radio

• 16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

• 12 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz

• 55 W Typical P_SAT

• Broadband Ampliﬁers

• Cellular Infrastructure

• Test Instrumentation

• Class A, AB, Linear ampliﬁers suitable

for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA

waveforms

• 55 % Efﬁciency at P_SAT

• 28 V Operation

Subject to change without notice.

www.cree.com/rf

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