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CDBUR70-HF

更新时间： 2024-09-16 01:25:03

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上华 - COMCHIP		二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBUR70-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
JESD-609代码：	e4	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.07 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Gold (Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

CDBUR70-HF 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

CDBUR70-HF

Io = 70 mA

VR = 70 Volts

RoHS Device

Halogen Free

0603/SOD-523F

Features

0.071(1.80)

0.063(1.60)

-Low forward voltage.

-Designed for mounting on small surface.

-Extremely thin / leadless package.

-Majority carrier conduction.

0.039(1.00)

0.031(0.80)

Mechanical data

0.033(0.85)

0.027(0.70)

-Case: 0603/SOD-523F standard package,

0.018(0.45) Typ.

molded plastic.

-Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

-Marking code: cathode band & BG

-Mounting position: Any

0.028(0.70) Typ.

-Weight: 0.003 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Min Typ Max Unit

VRM

RMS reverse voltage

VR(RMS)

Average forward rectified current

Forward current,surge peak

Power dissipation

IFSM

8.3 ms single half sine-wave superimposed

on rate load(JEDEC method)

0.1

150

+125

Storage temperature

TSTG

-65

Junction temperature

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Max Unit

IF = 1mA

IF = 15mA

0.41

Forward voltage

Reverse current

VR = 50V

0.1

Capacitance between terminals

f = 1 MHz, and 0 VDC reverse voltage

IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100 Ohm

Trr

Reverse recovery time

REV:A

Page 1

QW-G1008

Comchip Technology CO., LTD.

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