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CDBV120-G PDF预览

CDBV120-G

更新时间： 2024-09-15 03:28:51
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上华 - COMCHIP 二极管
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2页 74K
描述
SMD Schottky Barrier Diode

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CDBV120-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.45 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2最大非重复峰值正向电流：9 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.25 W
最大重复峰值反向电压：20 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CDBV120-G 数据手册

 浏览型号CDBV120-G的Datasheet PDF文件第2页 
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