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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CDBV3-54A-HF
CDBV3-54A-HF PDF预览

CDBV3-54A-HF

更新时间： 2024-09-16 06:47:07
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管小信号肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 74K
描述
Small Signal Schottky Diodes

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CDBV3-54A-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.75配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CDBV3-54A-HF 数据手册

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COMCHIP  
Small Signal Schottky Diodes  
SMD Diodes Specialist  
CDBV3-54/S/C/A-HF  
Reverse Voltage: 30 Volts  
Forward Current: 200 mA  
RoHS Device  
SOT-323  
Features  
Halogen free.  
0.087(2.20)  
0.079(2.00)  
Design for mounting on small surface.  
3
High speed switching application, circuit  
protection.  
0.053(1.35)  
0.045(1.15)  
1
2
Low turn-on voltage.  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
Mechanical data  
Case: SOT-323, molded plastic.  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.039(1.00)  
0.035(0.90)  
Terminals: solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
0.096(2.45)  
0.085(2.15)  
Weight: 0.0055 gram (approx.).  
0.004(0.10) max  
0.010(0.26) min  
0.016(0.40)  
0.008(0.20)  
Circuit diagram  
3
3
3
3
Dimensions in inches and (millimeter)  
1
2
1
2
1
2
1
2
CDBV3-54-HF  
CDBV3-54S-HF  
CDBV3-54C-HF  
CDBV3-54A-HF  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
(at Ta=25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Value  
Units  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
VRRM  
VR  
30  
30  
V
V
Forward current  
IF  
200  
0.6  
200  
mA  
A
Peak surge forward current  
Power dissipation  
IFSM  
PD  
T=1.0 sec  
mW  
@IF=0.1mA  
@IF=1mA  
@IF=10mA  
@IF=30mA  
@IF=100mA  
0.24  
0.32  
0.40  
0.50  
1.00  
Maximum forward voltage  
VF  
V
Maximum reverse current  
Maximum reverse recovery time  
Maximum diode capacitance  
Maximum junction temperature  
Storage temperature  
IR  
Trr  
@VR=25V  
2
μA  
nS  
pF  
°C  
°C  
IF=IR=10mA, RL=100Ω  
VR=1V, f=1.0MHz  
4
10  
CJ  
TJ  
125  
TSTG  
-65 to +125  
REV:A  
Page 1  
QW-JA001  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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