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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | STABISTOR DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V |
| 正向电压最小值（VF）： | 1.3 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.33 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向测试电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV86-1V4116 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-1V4133 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-1V4136 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-1V4143 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-1V4153 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-1V4AMO | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode |
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| BZV86-1V4T/R | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-2V0 | NXP |
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Low-voltage stabistors |
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| BZV86-2V0113 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-2V0116 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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