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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-35 | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 35 OHMS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | STABISTOR DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 3.45 V | 正向电压最小值（VF）： | 2.85 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 最大功率耗散： | 0.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向测试电压： | 5 V | 子类别： | Stabistor Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV86-3V2113 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2116 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2133 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2136 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2143 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2153 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Stabistor Diode |
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| BZV86C3V2 | NJSEMI |
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Diode 10V 0.2A 2-Pin ALF |
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| BZV86SERIES | ETC |
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Low-voltage stabistors |
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