是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-35 | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.74 | 其他特性: | DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 35 OHMS |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | STABISTOR DIODE |
最大正向电压 (VF): | 3.45 V | 正向电压最小值(VF): | 2.85 V |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
最大功率耗散: | 0.33 W | 认证状态: | Not Qualified |
反向测试电压: | 5 V | 子类别: | Stabistor Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZV86-3V2113 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2116 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2133 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2136 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2143 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2153 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2AMO | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode | |
BZV86-3V2T/R | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Stabistor Diode | |
BZV86C3V2 | NJSEMI |
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Diode 10V 0.2A 2-Pin ALF | |
BZV86SERIES | ETC |
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Low-voltage stabistors |